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9 {' [, o! b2 s4 t. M据传SK海力士的第六代高带宽记忆体HBM4，将改采3纳米制程，并使用台积电技术。 （路透）南韩媒体3日引述半导体业消息人士报导，SK海力士（SK Hynix）的第六代高带宽记忆体「HBM4」，将改采3纳米制程，并使用台积电技术，预定明年下半年供货。
+ R% U( h4 f- j2 n韩国经济日报报导，SK海力士原本打算用5纳米制程，生产客制化的HBM4，但主要客户要求供应更先进的记忆体，SK海力士于是改用3纳米制程，预计2025年下半给出货给英伟达（Nvidia）。 目前英伟达的绘图处理器（GPU）产品，以4纳米HBM芯片为基础。
( M6 m/ q, q8 ^. M) D m. R" V: V据传SK海力士在3月发布的HBM4芯片原型，是在3纳米基础裸晶（base die）上垂直堆叠。 相较于5纳米裸晶，堆叠在3纳米基础裸晶上的HBM，效能料可提高20%~30%。 但SK海力士的一般型HBM4和HBM4E，将与台积电携手采用12纳米制程。
+ A5 d* x% F8 U. e9 T7 G$ VSK海力士生产的第五代HBMHBMHBMHBMHBMHBM3E，使用自家基础裸晶，但HBM4决定采用台积电技术。 台积电量产的3纳米内存芯片，已用于苹果iPhone和苹果笔电MacBooks。 % |5 c* p4 S( \& H5 z* t# j3 f3 ?
SK海力士已掌握全球约半数HBM市场，多数HBM均销往英伟达。 该公司HBM4采3纳米基础裸晶，将进一步拉大领先三星电子的差距，三星计划用4纳米制程生产HBM4。 / r8 ?: Q, X2 d( D7 N) i
SK集团会长崔泰源11月表示，英伟达执行长黄仁勋要求他提前六个月供应12层HBM4，SK海力士原定2026年初供货。 点击下面文字可快速查看或发布对应的便民信息！ 纽约情报站让您的生活变的更简单
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