SK海力士新款HBM4传采台积电3纳米 明年下半年出货Nvidia
本帖最后由 叶夜耶 于 2024-12-3 18:03 编辑https://pgw.worldjournal.com/gw/photo.php?u=https://uc.udn.com.tw/photo/wj/realtime/2024/12/03/31021987.jpg&x=0&y=0&sw=0&sh=0&sl=W&fw=800&exp=3600&q=75据传SK海力士的第六代高带宽记忆体HBM4，将改采3纳米制程，并使用台积电技术。 （路透）南韩媒体3日引述半导体业消息人士报导，SK海力士（SK Hynix）的第六代高带宽记忆体「HBM4」，将改采3纳米制程，并使用台积电技术，预定明年下半年供货。
韩国经济日报报导，SK海力士原本打算用5纳米制程，生产客制化的HBM4，但主要客户要求供应更先进的记忆体，SK海力士于是改用3纳米制程，预计2025年下半给出货给英伟达（Nvidia）。 目前英伟达的绘图处理器（GPU）产品，以4纳米HBM芯片为基础。
据传SK海力士在3月发布的HBM4芯片原型，是在3纳米基础裸晶（base die）上垂直堆叠。 相较于5纳米裸晶，堆叠在3纳米基础裸晶上的HBM，效能料可提高20%~30%。 但SK海力士的一般型HBM4和HBM4E，将与台积电携手采用12纳米制程。
SK海力士生产的第五代HBMHBMHBMHBMHBMHBM3E，使用自家基础裸晶，但HBM4决定采用台积电技术。 台积电量产的3纳米内存芯片，已用于苹果iPhone和苹果笔电MacBooks。
SK海力士已掌握全球约半数HBM市场，多数HBM均销往英伟达。 该公司HBM4采3纳米基础裸晶，将进一步拉大领先三星电子的差距，三星计划用4纳米制程生产HBM4。
SK集团会长崔泰源11月表示，英伟达执行长黄仁勋要求他提前六个月供应12层HBM4，SK海力士原定2026年初供货。点击下面文字可快速查看或发布对应的便民信息！纽约情报站让您的生活变的更简单:hug:电召车 :hug:顺风拼车:hug:汽车买卖 :hug:便捷搬家:hug:招聘求职 :hug:店铺转让:hug:房屋出售 :hug:商家黄页简介：纽约情报站是汇集全美75万粉丝的公众平台。除了实时新闻、找工招工信息发布、app社区互动，更有微信公众号推文探店等。如果你投稿、爆料、活动策划、商务合作，或者想邀请我们去探店，请联系主编微信： nyinfor
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